法国 SOITEC 公司与新加坡南洋理工大学的研究人员报道，适度微缩的硅基氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN-on-Si HEMT）在 30GHz 工作时，功率附加效率（PAE）突破 60%。该器件同时实现了低至 1.1dB 的业界领先噪声系数。研究人员表示：“这些结果表明，结合优化的外延结构与工艺，适度微缩即可带来具备竞争力的技术方案。”研究团队认为，这类3–6V 低压射频器件适用于 5G 高频毫米波频段（FR2，24.25–71.0GHz）的单片集成移动收发（T/R）模块。5G 低频段 FR1：410–
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硅基氮化镓 GaN-on-Si HEMT 5G毫米波 SOITEC
全球知名半导体制造商罗姆（总部位于日本京都市）今日宣布，决定将自身拥有的GaN功率器件开发和制造技术，与合作伙伴台积公司（TSMC）的工艺技术相融合，在集团内部建立一体化生产体系。通过获得台积公司的GaN技术授权，罗姆将进一步增强相应产品的供应能力，从而满足AI服务器和电动汽车等领域对GaN产品日益增长的需求。 GaN功率器件具有优异的高电压和高频特性，有助于应用产品实现更高效率和更小体积，因此已被广泛应用于AC适配器等消费电子产品。此外，其在AI服务器的电源单元及电动汽车（EV）的车载充电器等
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罗姆 GaN 功率器件 供应能力
● 至2030年，氮化镓（GaN）市场规模预计将达到30亿美元，年复合增长率高达44%● 英飞凌高压GaN双向开关采用变革性的共漏极设计与双栅极结构● GaN功率半导体拓展至AI、机器人、量子计算等新兴市场氮化镓（GaN）电源解决方案的普及正推动功率电子行业迎来一场重大变革。全球功率系统和物联网领域的半导体领导者英飞凌科技股份公司近日发布《2026年GaN技术展望》，深度解析GaN的技术现状、应用场景及未来前景，为行业提供重要参考。英
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英飞凌 GaN 氮化镓高速增长
在全球AI浪潮高涨与绿色能源转型加速的双重驱动下，氮化镓（GaN）产业正步入关键的黄金增长期。根据TrendForce研究，全球GaN功率器件市场预计将从2024年的3.9亿美元快速增长至2030年的35.1亿美元，年复合增长率（CAGR）高达44%。在此高速扩张背景下，领先晶圆代工厂的战略调整正在重塑GaN产业链格局。尽管台积电（TSMC）正逐步退出GaN代工服务，但已通过技术授权协议，将其深厚的技术积累转移给合作伙伴——世界先进（VIS）与格芯（GlobalFoundries, GF）。此举不仅推动产
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台积电 格芯 GaN
在传统横向结构的GaN器件中，电流沿芯片表面流动。而垂直 GaN 的 GaN 层生长在氮化镓衬底上，其独特结构使电流能直接从芯片顶部流到底部，而不是仅在表面流动。这种垂直电流路径让器件能够承受更高的电压和更大的电流，从而实现更高的功率密度、更高的效率和更紧凑的系统设计。垂直架构：功率技术新高度垂直 GaN 创新：vGaN 支持高电压和高频率运行， 效率优于硅芯片先进制造工厂：GaN 研发工作在占地 66,000 平方英尺、 配备 GaN 生产专用工具的洁净室设施中进行专有 GaN 生长工艺：工程师借助安森
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安森美 GaN 功率器件
本文详细讨论了GaN技术，解释了如何在开关模式电源中使用此类宽禁带开关，介绍了电路示例，并阐述了使用专用GaN驱动器和控制器的优势。而且，文中展示了LTspice®工具，以帮助理解GaN开关在电源中的使用情况。最后，展望了GaN技术的未来。
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开关模式电源 氮化镓 GaN ADI
太阳能系统的发展势头越来越强，光伏逆变器的性能是技术创新的核心。设计该项光伏逆变器旨在尽可能高效地利用太阳能。其中一项创新涉及使用氮化镓 (GaN)。氮化镓正在快速取代硅 (Si) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系统。GaN 不仅能提高太阳能系统的性能，也能提升整个系统的效率，此外，在保证缩小系统尺寸的同时，还能降低热损耗、易于安装和降低成本。比较 GaN、SiC 和 IGBTGaN 凭借其每个裸片区更优的电阻（Rsp）、更低的输入输出电容（Ciss 和 Coss）以及零反向恢复电荷等特性，显著提升了
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TOLL GaN 太阳能系统 GaN 德州仪器
太阳能系统的发展势头越来越强，光伏逆变器的性能是技术创新的核心。设计该项光伏逆变器旨在尽可能高效地利用太阳能。其中一项创新涉及使用氮化镓 (GaN)。氮化镓正在快速取代硅 (Si) 和绝缘栅双极晶体管 (IGBT) 系统。GaN 不仅能提高太阳能系统的性能，也能提升整个系统的效率，此外，在保证缩小系统尺寸的同时，还能降低热损耗、易于安装和降低成本。比较 GaN、SiC 和 IGBTGaN 凭借其每个裸片区更优的电阻（Rsp）、更低的输入输出电容（Ciss 和 Coss）以及零反向恢复电荷等特性，显著提升了
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● 美国国际贸易委员会的最终裁定可能导致英诺赛科涉嫌侵权的产品被禁止进口至美国● 该裁决是又一项积极结果，彰显了英飞凌在业界领先的专利组合的价值● 氮化镓 (GaN) 在实现高性能、高能效功率系统方面发挥着关键作用英飞凌300mm GaN技术美国国际贸易委员会（ITC）裁定英诺赛科侵犯了英飞凌科技股份公司拥有的一项氮化镓（GaN）技术专利1。此外，在初步裁定中，美国国际贸易委员会确认，英飞凌在向该委员会提起的诉讼中
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美国国际贸易委员会 英飞凌 英诺赛科 专利侵权案 GaN
意法半导体发布了新的智能电源组件，使家用电器和工业驱动能够利用最新的氮化镓技术，提升能源效率、性能提升并节省成本。市场上的氮化镓电源适配器和充电器能够承受笔记本电脑和USB-C快充所需的足够功率，实现极高效率以满足严格的生态设计规范。ST最新的氮化镓集成电路使该技术适用于洗衣机、吹风机、电动工具和工厂自动化等产品的电机驱动。意法半导体应用专用产品部门总经理多梅尼科·阿里戈表示：“我们的新GaNSPIN系统封装平台通过引入优化系统性能和保障可靠性的特殊功能，释放了运动控制应用中的宽带隙效率提升。”“这些新设
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ST 运动控制 GaN 集成电路平台
意法半导体发布了新的智能电力组件，使家用电器和工业驱动能够利用最新的氮化镓（氮化镓）技术，提升能源效率、性能提升并节省成本。市场上的氮化镓电源适配器和充电器能够承受笔记本电脑和USB-C快充所需的足够功率，实现极高效率以满足严格的生态设计规范。ST最新的氮化镓集成电路使该技术适用于洗衣机、吹风机、电动工具和工厂自动化等产品的电机驱动。 意法半导体应用专用产品部总经理Domenico Arrigo表示：“我们的新GaNSPIN系统封装平台通过引入优化系统性能和保障可靠性的特殊功能，释放了运动控制应
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意法半导体 GaN ICs 运动控制
全球运动控制与节能系统电源及传感解决方案领导者之一Allegro MicroSystems, Inc. (以下简称“Allegro”，纳斯达克股票代码：ALGM)，与全球领先的硅基氮化镓制造供应商英诺赛科 (Innoscience，港交所：-2577.HK) 宣布达成战略合作，推出了一款开创性的 4.2kW 全 GaN 参考设计，该设计采用了 Allegro 的先进栅极驱动器技术和英诺赛科高性能氮化镓。这一创新解决方
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Allegro 英诺赛科 GaN AI数据中心电源 数据中心电源
电力电子产品的销售额预计将在这十年及以后飙升。推动这一趋势的是电动汽车产量的增加和数据中心的增长，由于人工智能的采用，数据中心的电力需求更加苛刻。对于使用电力电子的每种应用，提高其效率都是有益的。收益可能包括增加行驶里程、减少电费、减少供暖和减少碳足迹。由于卓越的效率带来的这些优势，基于宽禁带半导体的器件越来越多地被采用。到目前为止，基于 SiC 的 MOSFET 创造了最多的收入，其中 MOSFET 因赢得电动汽车部署而成为头条新闻。然而，尽管取得了很大的成功，SiC 器件也存在一些重大缺陷。它们包括
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p-GaN 屏蔽 开关速度
Yole 表示，到 2030 年，功率 GaN 器件市场预计将达到 30 亿美元，2024 年至 2030 年复合年增长率为 42%。消费电子产品是领先的采用者，功率氮化镓继续在快速充电器领域占据主导地位。尽管与 xEV 市场放缓相关的短期延迟，但汽车和移动出行领域正在出现新兴势头。预计 2024 年至 2030 年间，xEV GaN 需求将以 73% 的复合年增长率增长。 数据中心正在加速氮化镓的发展，因为它们对高效电力系统的需求，而氮化镓正在成为关键的推动者。与电信一起，数据中心在
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Yole GaN 复合年增长率
意法半导体的STDRIVEG210和STDRIVEG211半桥氮化镓(GaN)栅极驱动器是为工业或电信设备母线电压供电系统、72V电池系统和110V交流电源供电设备专门设计，电源轨额定最大电压220V，片上集成线性稳压器，为上下桥臂提供6V栅极驱动信号，拉电流和灌电流路径采用分开独立设计，可以灵活控制GaN 的开通和关断。STDRIVEG210 主打功率变换应用，例如，服务器电源、电池充电器、电源适配器、太阳能微型逆变器和功率优化器、LED灯具、USB-C电源。谐振和硬开关两种拓扑均适用，300ns启动时
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意法半导体 半桥栅极驱动器 GaN
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